GERİ DÖN

Ders Öğretim Planı


Dersin Kodu Dersin Adı Dersin Türü Yıl Yarıyıl AKTS
505003032022 MICROELECTRONIC CIRCUITS-I Ders 3 5 6,00

Lisans


Türkçe


Bu dersin amacı; işlemsel yukselteçlerin ideal olmayan özellikleri, p-n eklemler, diyotlu devreler, iki kutuplu eklem transistörler, alan etkili transistörler ve bunların temel devrelerde kullanımlarının öğretilmesidir.


Doç. Dr. Erkan Zeki Engin


1 Opampların ideal olmayan özelliklerini dikkate alarak tasarım yapabilme
2 Lineer olmayan elemanların bulunduğu devreleri çözebilme
3 Transistörlü bir kuvvetlendiricide gerilim kazancı bulabilme
4 Transistörlü bir kuvvetlendirici bias tasarımı yapabilme
5 Fark kuvvetlendirici analiz edebilme

Birinci Öğretim


Yok


Yok


• İşlemsel yükselteçler ve ideal olmayan özellikleri • Diyotlar, doğrultucu devreler • Zener güç kaynağı tasarımı • BJT devreleri • FET devreleri • Fark kuvvetlendiricilerinin analizi ve tasarımı


Hafta Konular (Teorik) Laboratuvar Öğretim Yöntem ve Teknikleri Ön Hazırlık
1 ELEKTRONİĞE GİRİŞ: Elektronikte kullanılan temel sinyaller, kuvvetlendirici kavramı, temel kavramlar, analog ve digital sinyal kavramı, iki portlu devreler Labaratuar Tanıtımı
2 İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER: İdeal olmayan opamp özellikleri, çevrim kazancının etkisi, giriş bias akımı Labaratuar Tanıtımı
3 İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER: Çıkış ofset voltajı, opampların büyük genliklerde çalışması, yükselme hızı, bant genişliği Doğrusal İşlemsel Yükselteç Devreleri
4 DİYOTLAR: İdeal diyot, p-n eklem, ters kutuplama, düz kutuplama, diyot modelleri Doğrusal Olmayan İşlemsel Yükselteç Devreleri
5 DİYOTLAR: Yarım dalga ve tam dalga doğrultucular, kondansatör ile filtreleme, sınırlama ve kırpma devreleri İdeal Olmayan İşlemsel Yükselteç
6 ZENER DİYOTLAR: Zener diyotlar, zener diyot modeli, zenerli regülatör analizi ve tasarımı Diyot Devreleri
7 BJT DEVRELERİ: Yarıilekten iç yapısı, n-tipi ve p-tipi transistörler, temel akım ve gerilim tanımlamaları, akım kazancı, bias hesabı DC Güç Kaynağı Devreleri
8 BJT DEVRELERİ: Lineerleştirilmiş küçük işaret eşdeğer devreleri, h- parametreleri, hybrid pi model, T model Zener Diyot Gerilim Regülatörü
9 ARA SINAV
10 BJT DEVRELERİ: Tek katlı BJT transistorlü kuvvetledirici analizi ve kazanç hesapları, ortak emitörlü, ortak bazlı ve ortak kolektörlü devreler BJT'nin I-V Karakteristiği
11 FET DEVRELERİ: Yarıiletken yapısı ve çalışma ilkesi, n-kanal ve p-kanal MOSFETler, akım ve gerilim karakteristikleri, temel akım ve gerilim denklemleri, bias hesabı MOSFET'in I-V Karakteristiği
12 FET DEVRELERİ: Lineerleştirilmiş küçük işaret eşdeğer devresi, T-model, tek katlı FET transistörlü kuvvenlendirici devre analizi, ortak kaynak, ortak savak ve ortak kapılı devrelerin analizi, kazanç hesapları Transistör İnvertör
13 ÇOK KATLI KUVVETLENDİRİCİLER: Kuvvetlendiricilerin giriş empedansı, çıkış empedansı ve kazanç hesapları Proje Sunumu
14 ÇOK KATLI KUVVETLENDİRİCİLER: Çok katlı bir BJT ve FET kuvvetlendiricide kazanç hesaplamaları Laboratuvar Final Sınavı
15 Genel tekrar Telafi
16 Final Sınavı

DERS KİTABI: 1. Sedra, A.S., Smith, K.C., "Microelectronics Circuits", Oxford University Press, (2004) YARDIMCI KİTAPLAR: 2. Horenstein, M.N., "Microelectronic Circuits and Devices", Prentice Hall, (1996)



Yarıyıl (Yıl) İçi Etkinlikleri Adet Değer
Ara Sınav 1 40
Laboratuvar 1 35
Proje Hazırlama 1 25
Toplam 100
Yarıyıl (Yıl) Sonu Etkinlikleri Adet Değer
Final Sınavı 1 100
Toplam 100
Yarıyıl (Yıl) İçi Etkinlikleri 65
Yarıyıl (Yıl) Sonu Etkinlikleri 35

Yok


Etkinlikler Sayısı Süresi (saat) Toplam İş Yükü (saat)
Ara Sınav 1 2 2
Final Sınavı 1 3 3
Derse Katılım 14 3 42
Laboratuvar 14 2 28
Proje Hazırlama 1 15 15
Bireysel Çalışma 14 2 35
Ara Sınav İçin Bireysel Çalışma 1 15 15
Final Sınavı içiin Bireysel Çalışma 1 25 25
Toplam İş Yükü (saat) 165

PÇ 1 PÇ 2 PÇ 3 PÇ 4 PÇ 5 PÇ 6 PÇ 7 PÇ 8 PÇ 9 PÇ 10 PÇ 11 PÇ 12 PÇ 13 PÇ 14 PÇ 15 PÇ 16 PÇ 17 PÇ 18
ÖÇ 1 4
ÖÇ 2 5 4
ÖÇ 3 4 4
ÖÇ 4 5 4 4
ÖÇ 5 5 4 4
* Katkı Düzeyi : 1 Çok düşük 2 Düşük 3 Orta 4 Yüksek 5 Çok yüksek