GERİ DÖN

Ders Öğretim Planı


Dersin Kodu Dersin Adı Dersin Türü Yıl Yarıyıl AKTS
505002242023 ELECTRONIC MATERIALS AND DEVICE PHYSICS Ders 2 3 5,00

Lisans


İngilizce


Bu dersin amacı öğrencilerin; yarıiletken aygıtların temel prensiplerinin anlaşılması, aygıtın karakterisliğinde etkili değişik proseslerin etkilerinin anlaşılması, yeni yarıiletken aygıtların tasarlanması becerilerini elde etmesidir.


Prof.Dr. İbrahim Avgın, Doç. Dr. Yavuz Öztürk


1 yarı iletken malzemeler ve fiziği temellerini mühendislik uygulamalarında kullanma becerisi,
2 Mühendislikte kullanılan temel elektronik aygıtları tasarlama ve simüle etme becerisi
3 Elektronik aygıtların malzemeden üretimine kadar karşılaşılabilecek problemlerini ilgili parametreleriyle tanımlama ve çözme becerisi
4 Hızla gelişen yarı iletken teknolojilerini takip edebilme becerisi

Birinci Öğretim


Yok


Yok


• malzemelerin kristal özellikleri, • yarıiletkenlerin Enerji bantları, atomlar arası bağ yapısı, denge halinde yük yoğunlukları, klasik elektron iletimi: Drude model • Fermi fonksiyonu, Katkılı yarıiletkenler, • Yüklerin sürüklenme ve difüzyon hareketleri, rekombinasyon ve üretim mekanizmaları, azınlık difüzyon denklem çözümleri • PN kavşak yapısı, çalışma prensipleri, denge ve durgun-hal durumları, Diyot akım-gerilim denklemleri, • Çiftkutuplu kavşak transistör yapıları ve çalışma prensipleri, • Metal-Oksit-Yarıiletken yapıları ve çalışma prensipleri, • Alan Etkili Transistörlerin yapıları ve çalışma prensipleri


Hafta Konular (Teorik) Öğretim Yöntem ve Teknikleri Ön Hazırlık
1 MALZEMELERİN KRİSTAL ÖZELLİKLERİ : yarıiletken malzemeler, kristal kafes yapıları
2 MALZEMELERİN KRİSTAL ÖZELLİKLERİ: kristal kafes yapıları, düzlem ve doğrular için Miller indisler
3 YARIİLETKENLERDEKİ ENERJİ BANTLARI VE YÜK TAŞIYICILARI: Katılardaki enerji bantları, yarıiletkenlerdeki yük taşıyıcıları, yük konsantrasyonu
4 YARIİLETKENLERDEKİ ENERJİ BANTLARI VE YÜK TAŞIYICILARI: yüklerin drift hareketi ve mekanizması, Fermi fonksiyonu ve enerji seviyesi
5 YARIİLETKENLERDEKİ FAZLA YÜK TAŞIYICILARI: Optik absorplama, Luminesans, taşıyıcı ömür süresi ve fotoiletkenlik
6 YARIİLETKENLERDEKİ FAZLA YÜK TAŞIYICILARI: Yüklerin sürüklenme ve difüzyon hareketleri, rekombinasyon ve üretim mekanizmaları, azınlık difüzyon denklem çözümleri
7 PN KAVŞAKLAR: üretimi, denge şartları, fermi seviyesi, kontak potansiyeli, enerji-bant diyagramları, Depletion bölgesi ve yük durumu
8 PN JONKSİYONLAR: ileri ve geri besleme şartları, durgun hal durumları, akım oluşumu ve akışı, kapasitans, anahtarlama
9 PN JONKSİYONLAR:ideal olmama durumları, metal-yarıiletken jonksiyonları
10 Ara Sınav
11 ÇİFTKUTUPLU JONKSİYON TRANSİSTÖR: çalışma prensibi, yükseltme işlemi, üretimi
12 ÇİFTKUTUPLU JONKSİYON TRANSİSTÖR: azınlık taşıcıyıları dağılımı, enerji-bant diyagramları, baz bölgesi ve yük durumları, besleme durumları
13 ÇİFTKUTUPLU JONKSİYON TRANSİSTÖR: Anahtarlama, kesime girme, saturasyon, ideal olmama durumları, frekans sınırlamaları
14 ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖRLER: Metal-oksit-yarıiletken yapısı, transistör çalışma prensibi, pinch-off ve saturasyon
15 ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖRLER: MOS-FET yapısı ve çalışma prensibi, akım-gerilim karakterizasyonu
16 Final Sınavı

1) Streetman B. and Banerjee S. K., “Solid State Electronics Devices”, Prentice Hall, 2006, 2) Pierret R. F., “Semiconductor Device Fundamentals”, Addison-Wesley, 1996



Yarıyıl (Yıl) İçi Etkinlikleri Adet Değer
Ara Sınav 1 70
Quiz 1 30
Toplam 100
Yarıyıl (Yıl) Sonu Etkinlikleri Adet Değer
Final Sınavı 1 100
Toplam 100
Yarıyıl (Yıl) İçi Etkinlikleri 50
Yarıyıl (Yıl) Sonu Etkinlikleri 50

Yok


Etkinlikler Sayısı Süresi (saat) Toplam İş Yükü (saat)
Ara Sınav 1 2 2
Final Sınavı 1 2 2
Derse Katılım 14 3 42
Bireysel Çalışma 14 2 28
Ödev Problemleri için Bireysel Çalışma 4 5 20
Ara Sınav İçin Bireysel Çalışma 1 25 25
Final Sınavı içiin Bireysel Çalışma 1 30 30
Toplam İş Yükü (saat) 149

PÇ 1 PÇ 2 PÇ 3 PÇ 4 PÇ 5 PÇ 6 PÇ 7 PÇ 8 PÇ 9 PÇ 10 PÇ 11 PÇ 12 PÇ 13 PÇ 14 PÇ 15 PÇ 16 PÇ 17 PÇ 18
ÖÇ 1 4
ÖÇ 2 3
ÖÇ 3 4
ÖÇ 4 3
* Katkı Düzeyi : 1 Çok düşük 2 Düşük 3 Orta 4 Yüksek 5 Çok yüksek