GERİ DÖN
Ders Öğretim Planı
| Dersin Kodu | Dersin Adı | Dersin Türü | Yıl | Yarıyıl | AKTS |
|---|---|---|---|---|---|
| 1986001242019 | TEMEL ELEKTRONİK | Ders | 1 | 2 | 4,00 |
Dersin Seviyesi
Önlisans
Dersin Sunulduğu Dil
Türkçe
Dersin Amacı
Elektronikte kullanılan yarıiletkenlerin yapıldığı malzemeleri ve özelliklerini tanıyabilme. Diyotlar ve çeşitlerinin yapı ve özelliklerini ve bu devre elemanın uygulama alanlarının anlaşılması. BJT’lerin ve FET’lerin yapı, özellik, çeşit ve çalışma prensiplerini ve öngerilimlenmesini kavrayabilme ve doğru akım devre analizi ilkelerini uygulayabilme.
Dersi Veren Öğretim Görevlisi/Görevlileri
Arif Timur
Öğrenme Çıktıları
| 1 | Tasarım için bir ön gerilimleme devresi düzenler, hesaplar ve uygular. |
| 2 | JFET’lerin alan kontrollü transistörler olduğunu söyler, yapısını ve çeşitlerini açıklar. |
| 3 | Bir JFET’i iki bağımsız kaynak ile kutuplayarak, çalışmasını ve kritik gerilimini açıklar. VGS gerilimi ile ID akımının nasıl kontrol edildiğini iki boyutlu düzlemde açıklar. |
| 4 | JFET’lerin kaç şekilde ön gerilimlenebileceğini söyler, devresini çizer, çalışma noktasını açıklar. |
| 5 | D-MOSFET’lerde VGS’nin pozitif ve negatif değerler alabileceğini söyler. İki bağımsız kaynak ile kutuplayarak, çalışmasını açıklar, VGS ile ID değerlerini gösteren bir tablo düzenler, transfer karakteristik eğrisini çizer. |
| 6 | D-MOSFET’lerin kaç şekilde öngerilimlenebileceğini söyler, devresini çizer, çalışma noktasını açıklar ve uygular. |
| 7 | E -MOSFET’lerin yapısını ve çeşitlerini açıklar, iki bağımsız kaynak ile kutuplayarak, çalışmasını açıklar. VGS ile ID değerlerini gösteren bir tablo düzenler, transfer karakteristik eğrisini çizer ve uygular. |
| 8 | Bir atomda çekirdek, yörünge ve kabuk deyimlerini açıklar, enerji-bant diyagramını çizer, valans ve iletim bantlarını açıklar, serbest elektronun ne olduğunu söyler, yalıtkan, yarıiletken ve iletkeni tanımlar. |
| 9 | Elektronikte kullanılan Germanyum ve silisyum yarıiletkenlerinin özelliklerini açıklar. Saf silisyumun atomunun iletkenliğini arttırma tekniklerini açıklar, iletkenlik miktarının nasıl değiştirilebileceğini söyler. |
| 10 | Germanyum ve silisyum diyotların arasındaki elektriksel farklılığın neler olduğunu söyler, V-I karakteristiğini çizer. Bir diyotun uygulamada, devamlı iletim, devamlı yalıtım veya zaman zaman iletim ve yalıtım durumunda çalıştığını açıklar, örnek problem ile hesaplar, dalga şekillerini çizer. |
| 11 | Diyodun kırpıcı, kenetleyici, dönüştürücü vb. uygulamalarını açıklar. |
| 12 | Zener diyotların ters yönde çalışan bir P-N eklemi olduğunu söyler, bozulmama nedenini açıklar, V-I karakteristiğini çizer. |
| 13 | Bir zener diyot devresi üzerinde akımı, gerilimi ve gücü hesaplar, çalışma noktasının nasıl bulunduğunu grafik olarak çizer ve açıklar. |
| 14 | E-MOSFET’lerin kaç şekilde öngerilimlenebileceğini söyler, devresini çizer, çalışma noktasını açıklar ve uygular. |
| 15 | LED’in gerçekte bir P-N eklemi olduğunu söyler, nasıl ışık yaydığını, ışığın rengine neyin etki ettiğini açıklar, V-I karakteristiğini çizer, elektriksel özelliklerini söyler ve örnek problem üzerinde hesaplar. |
| 16 | Varikap diyot, Tunel diyot, Schottky diyot, Foto diyot ve PIN diyot gibi, çeşitlerinin yapı, özellik ve çalışmasını açıklar. Katalog bilgilerini yorumlar. |
| 17 | BJT’nin P-N eklemli bir devre elemanı olduğunu, uçlarının neler olduğunu söyler, çeşitlerini, sembolünü, polarılmasını (kutuplanmasını) ve çalışmasını açıklar, dc ve dc’nin akım kazancı olduğunu söyler, aralarındaki ilişkiyi açıklar. |
| 18 | Bir BJT’yi iki kaynak yardımı ile kutuplayıp, çeşitli akım, gerilim değerleri ile transistörde harcanan gücü hesaplar ve uygulamasını yapar. |
| 19 | BJT’nin karakteristik eğrilerini çizer, kollektör akımının Vcc kaynağı ile değil, beyz akımı ile kontrol edildiğini açıklar ve uygulamasını yapar. |
| 20 | FET’ler ile ilgili öngerilimleme tasarım örneği hesaplar. |
| 21 | GaAS’lı FET’ler, çift gate’li FET’ler, VMOS’lar gibi diğer MOSFET çeşitlerini açıklar. Katalog bilgilerini yorumlar. |
| 22 | İki kaynak ile kutuplanan bir BJT’nin iki boyutlu eksenler üzerinde yük doğrusunu çizer, çalışma noktasını ve çalışma noktasının önemini açıklar. Çalışma noktasının değişmesinin nedenini ve sonuçlarını söyler, BJT’nin yük doğrusu üzerinde çalışma sınıflarını açıklar. |
| 23 | BJT ön gerilimleme devreleri çizer, akım, gerilim değerleri ile transistörde harcanan gücü hesaplar, bu devreler arasındaki üstünlük ve sakıncaları açıklar. |
Öğretim Sistemi
Dersin Ön Koşulu Olan Dersler
Yok
Ders İçin Önerilen Diğer Hususlar
Yok
Dersin İçeriği
Elektronik malzeme yapımında kullanılan yarıiletkenlerin tanıtılması; p ve n tipi malzeme ve bu malzemelerden oluşturulan elektronik devre elemanlarının ( Diyot, BJT transistör, JFET transistör ve MOSFET transistör’ün) iç yapıları ve çalışma prensipleri hakkında bilgi sahibi olunması.
Haftalık Ayrıntılı Ders İçeriği
| Hafta | Konular (Teorik) | Uygulama | Öğretim Yöntem ve Teknikleri | Ön Hazırlık |
|---|---|---|---|---|
| 1 | Bir atomda çekirdek, yörünge ve kabuk deyimlerini açıklar, enerji-bant diyagramını çizer, valans ve iletim bantlarını açıklar, serbest elektronun ne olduğunu söyler, yalıtkan, yarıiletken ve iletkeni tanımlar. Elektronikte kullanılan Germanyum ve silisyum yarıiletkenlerinin özelliklerini açıklar. Saf silisyumun atomunun iletkenliğini arttırma tekniklerini açıklar, iletkenlik miktarının nasıl değiştirilebileceğini söyler. Germanyum ve silisyum diyotların arasındaki elektriksel farklılığın neler olduğunu söyler, V-I karakteristiğini çizer.Bir diyotun uygulamada, devamlı iletim, devamlı yalıtım veya zaman zaman iletim ve yalıtım durumunda çalıştığını açıklar, örnek problem ile hesaplar, dalga şekillerini çizer. | Rehberli problem çözümü | ||
| 2 | Diyodun kırpıcı ve kenetleyici devre uygulamalarını açıklar. | Diyodlu Sınırlayıcı ve Kenetleyici Bağlantısı | ||
| 3 | Diyodun dönüştürücü ve gerilim çoklayıcı uygulamalarını açıklar. | Yarım ve Tam Dalga Doğrultucu Bağlantısı | ||
| 4 | Zener diyotların ters yönde çalışan bir P-N eklemi olduğunu söyler, bozulmama nedenini açıklar, V-I karakteristiğini çizer. Bir zener diyot devresi üzerinde akımı, gerilimi ve gücü hesaplar, çalışma noktasının nasıl bulunduğunu grafik olarak çizer ve açıklar. | Zener Diyot uygulamalarının yapılması | ||
| 5 | LED’in gerçekte bir P-N eklemi olduğunu söyler, nasıl ışık yaydığını, ışığın rengine neyin etki ettiğini açıklar, V-I karakteristiğini çizer, elektriksel özelliklerini söyler ve örnek problem üzerinde hesaplar.Varikap diyot, Tunel diyot, Schottky diyot, Foto diyot ve PIN diyot gibi, çeşitlerinin yapı, özellik ve çalışmasını açıklar. Katalog bilgilerini yorumlar. | Rehberli problem çözümü | ||
| 6 | BJT’nin P-N eklemli bir devre elemanı olduğunu, uçlarının neler olduğunu söyler, çeşitlerini, sembolünü, polarılmasını (kutuplanmasını) ve çalışmasını açıklar, dc ve dc’nin akım kazancı olduğunu söyler, aralarındaki ilişkiyi açıklar. | Bir BJT’yi iki kaynak yardımı ile kutuplayıp, çeşitli akım, gerilim değerleri ile transistörde harcanan gücü hesaplar . | ||
| 7 | BJT’nin karakteristik eğrilerini çizer, kollektör akımının Vcc kaynağı ile değil, beyz akımı ile kontrol edildiğini açıklar ve uygulamasını yapar.İki kaynak ile kutuplanan bir BJT’nin iki boyutlu eksenler üzerinde yük doğrusunu çizer, çalışma noktasını ve çalışma noktasının önemini açıklar. Çalışma noktasının değişmesinin nedenini ve sonuçlarını söyler, BJT’nin yük doğrusu üzerinde çalışma sınıflarını açıklar. BJT’nin karakteristik eğrilerini çizer, kollektör akımının Vcc kaynağı ile değil, beyz akımı ile kontrol edildiğini açıklar ve uygulamasını yapar.İki kaynak ile kutuplanan bir BJT’nin iki boyutlu eksenler üzerinde yük doğrusunu çizer, çalışma noktasını ve çalışma noktasının önemini açıklar. Çalışma noktasının değişmesinin nedenini ve sonuçlarını söyler, BJT’nin yük doğrusu üzerinde çalışma sınıflarını açıklar. NPN Transistor ün Gerilim Bölme yöntemiyle polarlandırılması | NPN Transistor ün Gerilim Bölme yöntemiyle polarlandırılması | ||
| 8 | ARASINAV | |||
| 9 | BJT ön gerilimleme devreleri çizer, akım, gerilim değerleri ile transistörde harcanan gücü hesaplar, bu devreler arasındaki üstünlük ve sakıncaları açıklar. Tasarım için bir ön gerilimleme devresi düzenler, hesaplar ve uygular. | NPN transistor ün Baz ,Emitter ve Kollektör Polarlandırılması | ||
| 10 | JFET’lerin alan kontrollü transistörler olduğunu söyler, yapısını ve çeşitlerini açıklar. Bir JFET’i iki bağımsız kaynak ile kutuplayarak, çalışmasını ve kritik gerilimini açıklar. VGS gerilimi ile ID akımının nasıl kontrol edildiğini iki boyutlu düzlemde açıklar. | JFET in Self Polarlama ve Gerilim Bölme Yöntemiyle Polarlandırılması | ||
| 11 | JFET’lerin kaç şekilde ön gerilimlenebileceğini söyler, devresini çizer, çalışma noktasını açıklar. | JFET in Gate, Source ve Drain Polarlandırılması | ||
| 12 | D-MOSFET’lerde VGS’nin pozitif ve negatif değerler alabileceğini söyler. İki bağımsız kaynak ile kutuplayarak, çalışmasını açıklar, VGS ile ID değerlerini gösteren bir tablo düzenler, transfer karakteristik eğrisini çizer. D-MOSFET’lerin kaç şekilde öngerilimlenebileceğini söyler, devresini çizer, çalışma noktasını açıklar ve uygular. | D- MOSFET in Gerilim Bölme Yöntemiyle Polarlandırılması | ||
| 13 | E -MOSFET’lerin yapısını ve çeşitlerini açıklar, iki bağımsız kaynak ile kutuplayarak, çalışmasını açıklar. VGS ile ID değerlerini gösteren bir tablo düzenler, transfer karakteristik eğrisini çizer ve uygular. E-MOSFET’lerin kaç şekilde ön gerilimlenebileceğini söyler, devresini çizer, çalışma noktasını açıklar ve uygular. | E- MOSFET in Gerilim Bölme Yöntemiyle Polarlandırılması ve E – MOSFET in anahtar olarak kullanılması | ||
| 14 | FET’ler ile ilgili öngerilimleme tasarım örneği hesaplar.GaAS’lı FET’ler, çift gate’li FET’ler, VMOS’lar gibi diğer MOSFET çeşitlerini açıklar. Katalog bilgilerini yorumlar. | Rehberli problem çözümü | ||
| 15 | Laboratuvar uygulamalı sınavı ve deney uygulama raporlarının değerlendirilmesi | Uygulama sınavı | ||
| 16 | Final Sınavı |
Ders Kitabı / Malzemesi / Önerilen Kaynaklar
DERS KİTABI: BOYLESTAD, Robert (1994), Elektronik Elemanlar ve Devre Teorisi; MEB yayınları. YARDIMCI KİTAPLAR: FLOYD, Thomas(1992), Electronic Devices;Macmillian Publishing Company. DERS ARAÇLARI: Laboratuvar deney gereçleri, Bilgisayar, Projeksiyon cihazı ve Bilimsel hesap makinesi.
Planlanan Öğrenme Aktiviteleri ve Metodları
Etkinlikler ayrıntılı olarak "Değerlendirme" ve "İş Yükü Hesaplaması" bölümlerinde verilmiştir.
Değerlendirme
| Yarıyıl (Yıl) İçi Etkinlikleri | Adet | Değer |
|---|---|---|
| Ara Sınav | 1 | 100 |
| Toplam | 100 | |
| Yarıyıl (Yıl) Sonu Etkinlikleri | Adet | Değer |
| Final Sınavı | 1 | 100 |
| Toplam | 100 | |
| Yarıyıl (Yıl) İçi Etkinlikleri | 40 | |
| Yarıyıl (Yıl) Sonu Etkinlikleri | 60 | |
Staj Durumu
Yok
İş Yükü Hesaplaması
| Etkinlikler | Sayısı | Süresi (saat) | Toplam İş Yükü (saat) |
|---|---|---|---|
| Ara Sınav | 1 | 1 | 1 |
| Final Sınavı | 1 | 1 | 1 |
| Derse Katılım | 14 | 2 | 28 |
| Uygulama/Pratik | 14 | 1 | 14 |
| Problem Çözümü | 3 | 3 | 9 |
| Rapor Hazırlama | 11 | 1 | 11 |
| Bireysel Çalışma | 4 | 1 | 4 |
| Ara Sınav İçin Bireysel Çalışma | 1 | 6 | 6 |
| Final Sınavı içiin Bireysel Çalışma | 1 | 6 | 6 |
| Okuma | 2 | 2 | 4 |
| Laboratuvar Sınavı | 1 | 6 | 6 |
| Toplam İş Yükü (saat) | 90 | ||
Program ve Öğrenme Çıktıları İlişkisi
| PÇ 1 | PÇ 2 | PÇ 3 | PÇ 4 | PÇ 5 | PÇ 6 | PÇ 7 | PÇ 8 | PÇ 9 | PÇ 10 | |
| ÖÇ 1 | ||||||||||
| ÖÇ 2 | ||||||||||
| ÖÇ 3 | ||||||||||
| ÖÇ 4 | ||||||||||
| ÖÇ 5 | ||||||||||
| ÖÇ 6 | ||||||||||
| ÖÇ 7 | ||||||||||
| ÖÇ 8 | ||||||||||
| ÖÇ 9 | ||||||||||
| ÖÇ 10 | ||||||||||
| ÖÇ 11 | ||||||||||
| ÖÇ 12 | ||||||||||
| ÖÇ 13 | ||||||||||
| ÖÇ 14 | ||||||||||
| ÖÇ 15 | ||||||||||
| ÖÇ 16 | ||||||||||
| ÖÇ 17 | ||||||||||
| ÖÇ 18 | ||||||||||
| ÖÇ 19 | ||||||||||
| ÖÇ 20 | ||||||||||
| ÖÇ 21 | ||||||||||
| ÖÇ 22 | ||||||||||
| ÖÇ 23 |
* Katkı Düzeyi : 1 Çok düşük 2 Düşük 3 Orta 4 Yüksek 5 Çok yüksek