Dersin Kodu | Dersin Adı | Dersin Türü | Yıl | Yarıyıl | AKTS |
---|---|---|---|---|---|
9101045401998 | Yarıiletkenler Fiziği II | Seçmeli Ders Grubu | 1 | 2 | 8,00 |
Yüksek Lisans
Türkçe
Fizik ve mühendislik yüksek lisans öğrecilerine yarıiletkenlerin temelini ve fiziğini anlatmak amaçlanmıştır.
Assist.Prof.Dr.Teoman YILDIZ
1 | Yarıiletken cihazların günlük yaşamdaki uygulamalarını öğrenebilmek. |
2 | Teknolojik gelişmelere bağlı olarak geliştirilen yeni cihazların özelliklerini anlayabilmek. |
3 | Yarıiletken aygıtların temel prensiplerini anlayabilmek. |
4 | Bir yarıiletken devre tasarımı yapabilmek ve uygulayabilmek. |
5 | Kaynak tarayabilmek, sunum yapabilmek, bir yarıiletken devre düzeneği hazırlayabilmek, uygulayabilmek ve ilgili sonuçları yorumlayabilmek. |
6 | Elektronik devre uygulamaları için gerekli modern araçları kullanabilmek ve modern teknik ve yöntemleri uygulayabilmek |
7 | Yarıiletken elektronik devreleri tanımlayarak çözümleyebilmek ve değerlendirebilmek. |
8 | Matematik, fen ve mühendislik bilgilerini yarıiletken devre problemlerinin çözümlerine uygulayabilmek. |
9 | Yarıiletkenlerde kristal büyütmeyi ve kristal özelliklerini anlayabilmek. |
10 | Yarıiletken cihazların fiziksel özelliklerini açıklayabilmek. |
Yok
Yok
Bu ders ayrıntılı olarak transistörleri içerir ve aynı zamanda optoelektronik aygıtlara, güç aygıtlarına, mikrodalga aygıtlarına, integre devre aygıtlarına da bir giriş niteliğindedir.
Hafta | Konular (Teorik) | Öğretim Yöntem ve Teknikleri | Ön Hazırlık |
---|---|---|---|
1 | BJT'lerin(iki kutuplu eklemli transistörlerin) temelleri: BJT'lerde yük iletimi, BJT'lerle amplifikasyon(yükseltme). | ||
2 | BJT'lerde azınlık yük taşıyıcı dağılımları ve terminal akımları. | ||
3 | BJT'lerde genelleştirilmiş kutuplandırma. | ||
4 | BJT'lerde anahtarlama özellikleri ve diğer önemli olaylar. | ||
5 | Alan etkili transistörler: Eklemli alan etkili transistörler(JFET - FET). | ||
6 | JFET'in fabrikasyonu ve çalışması: Daralma(pinch-off) ve satürasyon, Geyt(gate) kontrol, Akım-gerilim(I-V) karakteristikleri. | ||
7 | Metal-yarıiletken FET (MESFET): Fabrikasyonu ve çalışması. | ||
8 | Arasınav | ||
9 | Metal-yalıtıcı-yarıiletken alan etkili transistör(MOSFET): Fabrikasyonu ve çalışması. | ||
10 | MOSFET'te kapasitans etkileri. | ||
11 | İntegre devreler: İntegrasyonun avantajları, İntegre devre çeşitleri. | ||
12 | Tek-kristal integre devrelerin fabrikasyonu. | ||
13 | Tek-kristal devre elemanlar | ||
14 | Yarıiletken lazerler. | ||
15 | Rezonans devrelerinin işleyiş modelleri. | ||
16 | Yaryıl sınavı |
Ders Kitabı: 1-Solid State Electronic Devices, Ben G. Streetman, , Fourth Edt., Prentice Hall, 1995 Yardımcı Kitaplar: 1- Introduction to Semiconductor Materials and Devices, M.S. Tyagi, Wiley, New York, 1991 2- Physical Foundations of Solid State and Electron Devices, A. M. Ferendeci, Mc Graw Hill, New York, 1991
Etkinlikler ayrıntılı olarak "Değerlendirme" ve "İş Yükü Hesaplaması" bölümlerinde verilmiştir.
Yarıyıl (Yıl) İçi Etkinlikleri | Adet | Değer |
---|---|---|
Ara Sınav | 1 | 100 |
Toplam | 100 | |
Yarıyıl (Yıl) Sonu Etkinlikleri | Adet | Değer |
Final Sınavı | 1 | 100 |
Toplam | 100 | |
Yarıyıl (Yıl) İçi Etkinlikleri | 40 | |
Yarıyıl (Yıl) Sonu Etkinlikleri | 60 |
Yok
Etkinlikler | Sayısı | Süresi (saat) | Toplam İş Yükü (saat) |
---|---|---|---|
Ara Sınav | 1 | 2 | 2 |
Final Sınavı | 1 | 2 | 2 |
Bütünleme Sınavı | 0 | 0 | 0 |
Problem Çözümü | 6 | 2 | 12 |
Tartışma | 14 | 2 | 28 |
Soru-Yanıt | 14 | 2 | 28 |
Rapor Hazırlama | 8 | 7 | 56 |
Rapor Sunma | 8 | 2 | 16 |
Ödev Problemleri için Bireysel Çalışma | 6 | 4 | 24 |
Ara Sınav İçin Bireysel Çalışma | 1 | 30 | 30 |
Final Sınavı içiin Bireysel Çalışma | 1 | 30 | 30 |
Toplam İş Yükü (saat) | 228 |
PÇ 1 | PÇ 2 | PÇ 3 | PÇ 4 | PÇ 5 | PÇ 6 | PÇ 7 | |
ÖÇ 1 | 4 | 5 | |||||
ÖÇ 2 | 4 | ||||||
ÖÇ 3 | 4 | ||||||
ÖÇ 4 | 4 | ||||||
ÖÇ 5 | 5 | 4 | |||||
ÖÇ 6 | 4 | 4 | |||||
ÖÇ 7 | 4 | ||||||
ÖÇ 8 | 5 | ||||||
ÖÇ 9 | 4 | ||||||
ÖÇ 10 | 4 |